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公司导师

王文博



                                                                                          姓名:王文博

                                                                                          职称:研究员

                                                                                          所在团队:先进材料研究院

                                                                                           研究方向:零碳直流微电网、多端口变换器、

                                                                                                            高功率密度电源

                                                                                          招生专业:电气工程、材料工程、控制工程

                                                                                          办公电话:010-61771720

                                                                                          办公地址:主楼D座1114室

                                                                                          电子邮箱:wenbo.wang@ncepu.edu.cn

一、个人简介

王文博,教授,主要从事面向零碳直流微电网的高功率密度多端口变换器、高频磁器件集成、系统级封装等方向的研究。研究成果曾获国际第三代半导体创新创业大赛三等奖,国际工业电子协会年会 (IECON)最佳会议论文奖等,出版个人专著1部,申请中国发明专利40余项,发表学术论文50余篇。入选深圳市海外高层次人才计划,宁波甬江人才工程。

二、教育与工作经历

教育经历:

2010.10-2017.10   代尔夫特理工大学,电力电子,博士,博士后
2008.09-2010.07   西北工业大学,电力电子与电力传动,硕士
2004.09-2008.06   西北工业大学,自动化,学士

工作经历:

2025.11-至今 betway西汉姆联官网 教授

2022.050- 2025.10  甬江实验室,第三代半导体功率器件测试与应用研究组,负责人

2021.09- 2022.02  青未科技(深圳)有限公司,总经理

2019.06- 2021.08  深圳第三代半导体研究院器件应用所 ,副教授,所长

2017.05- 2019.05   北京国联万众半导体科技有限公司,技术专家

三、教学与人才培养成果

1. 员工获得荣誉

与荷兰代尔夫特理工大学、特文特大学联合培养功率模组先进封装、高可靠性设计方向博士生4人,已毕业2人。

  • 2022年IEEE International Power Electronics and Application Conference and Exposition(PEAC)会议论文奖

  • 2024年IEEE Transaction on Power Electronics 期刊月度Highlighted Paper

四、主要科研项目

【1】中央高校基本科研业务费2026年度学科交叉创新项目,面向数据中心大算力芯片供电的低压、超大电流高功率密度电源模块关键技术研究,2026-2029,主持,在研

【2】江苏省基础研究计划重点项目,高频低损耗纳米晶软磁合金材料设计及性能调控研究,2024-2027, 课题负责人、技术骨干,在研

【3】浙江省创新团队建设项目,氧化物功能薄膜与器件异构集成,2024-2026,技术骨干,已结题

【4】中国-荷兰国际合作项目,氮化镓兆赫兹异质集成电源模块研究,2020-2024, 主持,已结题

【5】广东省第三代半导体技术创新中心项目,第三代半导体高频、高效、高功率密度应用研究,2019-2021,主持,已结题

【6】宁波市科技创新领域人才项目,高功率密度氮化镓电源,2022-2025,主持,已结题

【7】宁波市人才引进项目,基于多物理场模型的第三代半导体功率器件可靠性研究,2022-2025,主持,已结题

【8】企业横向课题,基于第三代半导体功率器件的高效率、小体积光伏逆变器装置研究,2023-2024,主持,已结题

【9】企业横向课题,硅基氮化镓单片集成工艺技术研究,2018-2022,主持,已结题

五、代表性论文

1. Junyun Deng, Wenbo Wang*, Prasanth Venugopal, Jelena Popovic,Gert Rietveld, Improved Planar Transformers With Common-Mode Noise Cancellation for LLC Converters. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2026 ( Early Access ).

2. Chengbing Pan, Ruomeng Zhang, Xueyan Li, Yibo Ning ,Wenbo Wang*, Lixia Zhao*, Anomalous Dynamic ON-Resistance Instability Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs under Power Cycling Tests, Appl. Phys. Lett. 128, 072104 ,2026

3. Lei Wang, Wenbo Wang*,Keqiu Zeng, Ruomeng Zhang, Gert Rietveld, Raymond J. E. Hueting,A Double-Sided Cooling SiC Power Module With Pressure Contact Packaging. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics,2025, 13(5), pp.5713 - 5722

4. Xiaoqi Li, Lei Wang, Chenshan Gao, Wenbo Wang*, Reliability Perspective on Nano-silver Sintering in SiC Power Modules. Space-Science & Technology, 2025, 5 pp. 0268.

5. Chengbing Pan,Wenbo Wang*, Ruomeng Zhang,Xinyuan Zheng, Xueyan Li, Yesen Han,Yibo Ning,Haoding Zhang, Lixia Zhao*, Degradation Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Under High-Temperature Reverse Bias Stress,IEEE Transactions on Electron Devices , 2025, 72(8), pp.4056 - 4062

6. Lei Wang, Wenbo Wang*, Keqiu Zeng, Junyun Deng, Gert Rietveld, Ray Hueting, Opportunities and Challenges of Pressure Contact Packaging for Wide Bandgap Power Modules. IEEE Transaction on Power Electronics, 2024, 39(2) pp. 2401-2419

7. Junyun Deng, Wenbo Wang*, Zhansheng Ning, Prasanth Venugopal, Jelena Popovic, Gert Rietveld, High-Frequency Core Loss Modeling Based on Knowledge-Aware Artificial Neural Network. IEEE Transaction on Power Electronics, 2024, 39(2) pp. 1968-1973

8. Lisheng Wang, Wenbo Wang*, Raymond J. E. Hueting, Gert Rietveld, J A Ferreira, Review of Topside Interconnections for Wide Bandgap Power Semiconductor Packaging. IEEE Transaction on Power Electronics, 2023, 38(1) pp. 472-490.